CSD18504Q5A场效应管(MOSFET)
| 概述 | 1个N沟道 耐压:40V 电流:75A |
| 品牌名称 | TI(德州仪器) |
| 商品封装 | SON-8(5x6) |
| 描述 | CSD18504Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET |
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 | 输入电容(Ciss) | 1.656nF |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | 反向传输电容(Crss) | 9.6pF |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@4.5V | 类型 | N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | 输出电容(Coss) | 310pF |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
流水记录
| 2026/6/1 08:17:20 | 入库 (+) | 6 pcs | 扫码入库 |