2N7002场效应管(MOSFET)
| 概述 | N沟道,电流:115mA,耐压:60V |
| 品牌名称 | R+O(宏嘉诚) |
| 商品封装 | SOT-23 |
| 描述 | 特性：VDS = 60V。 I0 = 115mA。 RDS(on)@VGS = 10V < 5.0Ω。 RDS(on)@VGS = 5.0V < 7.0Ω。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器 |
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@10V |
| 数量 | 1个N沟道 | 输入电容(Ciss) | 50pF |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | 反向传输电容(Crss) | 5pF |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V | 类型 | N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | 输出电容(Coss) | 25pF |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
流水记录
| 2026/3/9 02:11:31 | 入库 (+) | 151 pcs | 扫码入库 |
| 2026/3/6 06:49:19 | 入库 (+) | 36 pcs | 扫码入库 |
| 2026/3/6 01:35:08 | 入库 (+) | 49 pcs | 扫码入库 |