IRLML0060TR(UMW)场效应管(MOSFET)
| 概述 | 耐压:60V 电流:2.7A |
| 品牌名称 | UMW(友台半导体) |
| 商品封装 | SOT-23 |
| 描述 | 使用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(on)和低栅极电荷。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。 |
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 数量 | 1个N沟道 | 栅极电荷量(Qg) | 2.5nC@10V |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | 输入电容(Ciss) | 290pF |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | 反向传输电容(Crss) | 21pF |
| 导通电阻(RDS(on)) | 92mΩ@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
流水记录
| 2026/4/7 01:12:05 | 入库 (+) | 6 pcs | 扫码入库 |