SI2302-HXY场效应管(MOSFET)
| 概述 | 1个N沟道 耐压:20V 电流:2.8A |
| 品牌名称 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| 商品封装 | SOT-23 |
| 描述 | 这款N型场效应管，适用于高效能应用。具备2.8A的电流承载能力，最高20V的工作电压，以及43mΩ的典型内阻。其VGS为12V，确保了稳定的性能表现。适合用于对电子系统稳定性和效率有较高要求的场景。 |
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 数量 | 1个N沟道 | 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | 输入电容(Ciss) | 260pF |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | 反向传输电容(Crss) | 27pF |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
流水记录
| 2026/3/6 06:53:58 | 入库 (+) | 88 pcs | 扫码入库 |