AO3400A场效应管(MOSFET)
| 概述 | 1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A |
| 品牌名称 | UMW(友台半导体) |
| 商品封装 | SOT-23 |
| 描述 | 特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。 低栅极电荷。 可在低至2.5V的栅极电压下工作。 漏源电压（VDS）：30V。 漏极电流（ID）：5.8A（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）：< 27mΩ（VGS = 10V）；< 31mΩ（VGS = 4.5V）；< 48mΩ（VGS = 2.5V） |
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 数量 | 1个N沟道 | 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC@4.5V |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | 输入电容(Ciss) | 823pF |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | 反向传输电容(Crss) | 77pF |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | 输出电容(Coss) | 99pF |
流水记录
| 2026/3/6 06:06:05 | 入库 (+) | 20 pcs | 扫码入库 |
| 2026/3/6 01:31:01 | 入库 (+) | 18 pcs | 扫码入库 |