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PJA3441_R1_00001

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PJA3441_R1_00001场效应管(MOSFET)
概述1个P沟道 耐压:40V 电流:3.1A
品牌名称PANJIT(强茂)
商品封装SOT-23
描述

特性:RDS(ON),VGS@-10V,ID@-3.1A < 88mΩ。RDS(ON),VGS@-4.5V,ID@-2.6A < 108mΩ。先进的沟槽工艺技术。专为开关负载、PWM应用等设计。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品。符合IEC61249标准的绿色模塑料(无卤)

商品目录场效应管(MOSFET)栅极电荷量(Qg)6nC@4.5V
数量1个P沟道输入电容(Ciss)505pF
漏源电压(Vdss)40V反向传输电容(Crss)33pF
连续漏极电流(Id)3.1A工作温度-55℃~+150℃
导通电阻(RDS(on))108mΩ@4.5V类型P沟道
耗散功率(Pd)1.25W输出电容(Coss)48pF
阈值电压(Vgs(th))2.5V

流水记录

2026/3/6 06:51:15入库 (+)3 pcs扫码入库