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AP68N06G

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AP68N06G场效应管(MOSFET)
概述N沟道 耐压:60V 电流:50A
品牌名称ALLPOWER(铨力)
商品封装PDFN-8(5x6)
描述

AP68N06系列采用创新设计和硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件,可广泛应用于各种电源领域。DFN5*G封装在所有采用红外回流焊技术的商业工业表面贴装应用中广受欢迎,并且由于其连接电阻低,适用于大电流应用

商品目录场效应管(MOSFET)栅极电荷量(Qg)33nC
数量1个N沟道输入电容(Ciss)2.3nF
漏源电压(Vdss)60V反向传输电容(Crss)80pF
连续漏极电流(Id)50A工作温度-55℃~+150℃
导通电阻(RDS(on))16mΩ@10V类型N沟道
耗散功率(Pd)104W输出电容(Coss)185pF
阈值电压(Vgs(th))3V

流水记录

2026/4/20 01:25:55出库 (-)13 pcs扫码出库
2026/4/17 09:17:14入库 (+)40 pcs扫码入库
2026/4/9 04:21:16入库 (+)4 pcs扫码入库